| 专利名称: | 微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法 |
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| 申请号: | 200710064865.4 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276020 |
| 第一发明人: | 欧 毅 陈大鹏 孙雨南 崔 芳 董立军 刘 辉 韩劲东 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备微电子机械系统光学解复用器芯片的方法，包 括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；光刻第一版上电极图 形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到上电极图形；光刻第二版上电极图形； 将氮化硅薄膜刻透；在第一片硅衬底的背面第三版光刻出背面的腐蚀窗口 图形；在腐蚀窗口图形上涂光学光刻胶，将背面氮化硅薄膜刻透；将第一 片硅衬底置于氢氧化钾溶液进行腐蚀，去除上反射镜下的多余部分的硅衬 底；在第二片硅衬底上光刻第四版下电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离 后得到下电极图形；将第一片和第二片硅衬底进行对准键和，划片并焊接 引线。利用本发明，降低了制备成本，使微电子机械系统光学解复用器芯 片得以广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出