| 专利名称: | 一种晶体管T型纳米栅的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064854.6 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276750 |
| 第一发明人: | 刘 亮 张海英 刘训春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制作方法，该方法包括：A、 在清洗干净的外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；B、在所述氮化 硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述 第一层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第二层电子束 胶，然后前烘；D、在所述第二层电子束胶上匀第三层电子束胶ZEP520A， 然后前烘；E、进行栅版电子束曝光；F、依次显影第三层电子束胶ZEP520A， 易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶和第一层电子束胶ZEP520A；G、 等离子刻蚀所述氮化硅或二氧化硅介质；H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥 离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，不存在套刻对准问题，工艺简 单，容易制作出小尺寸的栅线条，可靠性强。 |
| 其它备注: | |
科研产出