| 专利名称: | 凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064863.5 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276837 |
| 第一发明人: | 刘果果 刘新宇 郑英奎 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种凹栅槽 的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件，同时公开了一种制作凹栅槽的 AlGaN/GaN HEMT多层场板器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺，在形成源极和漏极的欧姆接触后，光刻栅图形，对 栅图形部分的AlGaN外延层进行刻蚀，蒸发栅金属后，先制作栅连接场 板，再制作源连接场板，形成凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。 利用本发明，有效地提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性、跨导和 阈值电压，并在提高器件增益的同时，有效抑制了AlGaN/GaN HEMT器 件的电流崩塌现象。 |
| 其它备注: | |
科研产出