| 专利名称: | 一种制备单电子晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121366.4 |
| 申请日期: | 2007-09-05 |
| 专利号: | CN101383285 |
| 第一发明人: | 王 琴 李维龙 贾 锐 刘 明 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用 Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双 层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：离 子注入及快速退火；双层胶电子束光刻，形成单电子晶体管图形；蒸发金 属，剥离干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上，减小隧道结尺寸；光 刻；蒸发金属，剥离，合金；采用这种方法制备的基于SOI衬底的单电子 晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点，并简化了 制作工艺，解决了在电子束曝光过程中由于邻近效应影响无法实现小尺寸 隧道结的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出