| 专利名称: | 多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121367.9 |
| 申请日期: | 2007-09-05 |
| 专利号: | CN101383378 |
| 第一发明人: | 王 琴 管伟华 刘 琦 胡 媛 李维龙 龙世兵 贾 锐 陈宝钦 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及非挥发性存储器技术领域，公开了一种多层纳米晶浮栅结 构的非挥发性存储器，包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底 11；在半导体衬底11中掺杂形成源极9和漏极10；在源极9和漏极10之 间的沟道12；位于沟道12上的隧穿氧化层13；用于控制多层纳米晶浮栅 结构氧化的控制氧化层14；位于控制氧化层14上的栅电极16；位于隧穿 氧化层13与控制氧化层14之间的多层纳米晶浮栅结构15，用于作为非挥 发性存储器的浮栅存储单元。本发明同时公开了一种制备多层纳米晶浮栅 结构非挥发性存储器的方法。本发明解决单层纳米晶浮栅存储器的编程时 间/电压与存储时间之间的矛盾，在较短的编程时间前提下提升器件的存储 时间。 |
| 其它备注: | |
科研产出