| 专利名称: | 一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121369.8 |
| 申请日期: | 2007-09-05 |
| 专利号: | CN101383388 |
| 第一发明人: | 申华军 李志华 杨成樾 万里兮 李宝霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上 的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽 斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料 结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制 造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电 探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。 |
| 其它备注: | |
科研产出