| 专利名称: | 基于增强型PHEMT的单刀双掷开关 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121976.4 |
| 申请日期: | 2007-09-19 |
| 专利号: | CN101394173 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于增强型PHEMT的单 刀双掷微波开关，包括六个增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT、六个限流电阻R、三个隔直电容C、五段微带线L和两个电压控 制端。利用本发明，只需要0～0.2V和正电压(1V)作为关断和导通的控 制电平，使微波开关和采用正向电压供电的控制电路和其它微波电路更好 的实现单片集成，提高了集成度和可实现性，降低了设计的复杂度和成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出