| 专利名称: | 氮化硅湿法腐蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810224676.3 |
| 申请日期: | 2008-10-23 |
| 专利号: | CN101417890 |
| 第一发明人: | 陈 晨 贾 锐 朱晨昕 李维龙 李昊峰 王 琴 刘 明 田继红 路 程 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种氮化硅湿法腐蚀方法，包括：A.提供一氮化硅层，并 通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层；B.采用电子束 蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层；C.剥离上述的光刻胶层，在氮化硅层 上形成具有二次图形的金属铬掩蔽层；D.进行湿法腐蚀氮化硅层形成三次 图形；以及E.去除金属铬掩蔽层，得到图形化的氮化硅薄膜。本发明解决 了选择性湿法腐蚀氮化硅中，光阻在腐蚀液中被氧化，无法起到刻蚀掩蔽 作用的问题。同时解决了原位沉积氧化硅薄膜，无法对指定区域进行湿法 腐蚀的问题。本方法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工 艺稳定性和制备效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出