| 专利名称: | 嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710176283.5 |
| 申请日期: | 2007-10-24 |
| 专利号: | CN101420012 |
| 第一发明人: | 管伟华 刘 明 龙世兵 贾 锐 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种基于二元过渡 族金属氧化物的嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器，该存储器包 括：上导电电极层与下导电电极层；包含在上导电电极层与下导电电极层 之间的二元过渡族金属氧化物薄膜；在二元过渡族金属氧化物薄膜中嵌入 的纳米晶颗粒。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，可 以极大的提高器件的产率，为器件的大规模集成打下基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出