| 专利名称: | 一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法 |
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| 申请号: | 200810227456.6 |
| 申请日期: | 2008-11-25 |
| 专利号: | CN101425562 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘 明 涂德钰 刘 舸 刘兴华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体 管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级 沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半 导体层、栅介质层和栅电极，所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极 从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上；所述源电极上方从下到上依次设有 绝缘层和漏电极，分别与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合 起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。本发明通过控制 绝缘层的厚度来控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，大幅度地降 低制备纳米级沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出