| 专利名称: | 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810227461.7 |
| 申请日期: | 2008-11-25 |
| 专利号: | CN101431028 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 黎 明 付晓君 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制 备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面 形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完 成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在 P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。本发明提供的增强型背栅氧化 锌纳米线场效应晶体管制备方法，实现了阈值电压大于零伏的增强型背栅氧 化锌纳米线场效应晶体管。 |
| 其它备注: | |
科研产出