| 专利名称: | 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240275.7 |
| 申请日期: | 2008-12-18 |
| 专利号: | CN101441112 |
| 第一发明人: | 何 伟 明安杰 薛惠琼 焦斌斌 欧 毅 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及 其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成 所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦 化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在每一红外探测单元中的顶硅层 设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C.在每一红外探测单元中形成所述电气 连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、 在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述 空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两 端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。 |
| 其它备注: | |
科研产出