| 专利名称: | 氮化镓基场效应管及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240270.4 |
| 申请日期: | 2008-12-18 |
| 专利号: | CN101442071 |
| 第一发明人: | 李诚瞻 魏 珂 郑英奎 刘果果 黄 俊 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种氮化镓基场效应管及其制备方法。该场效应管包括 正面管芯、衬底和背金结构，所述的衬底包括碳化硅衬底或蓝宝石衬底，所 述的背金结构设置在衬底底面，该背金结构包括背金起镀层和电镀层，所述 的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层，所述 的钛金属层与所述的衬底接触。本发明采用氢氧化钠抛光液，对场效应管 的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金 起镀层，利用钨的良好阻挡性能，钛/钨/金系统有效地阻挡金锡合金或金 锡焊料在高温条件下向衬底渗透，有效地增强了背金结构在碳化硅衬底或 蓝宝石衬底的粘附性。 |
| 其它备注: | |
科研产出