| 专利名称: | 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178316.X |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447440 |
| 第一发明人: | 于进勇 刘新宇 金 智 程 伟 夏 洋 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包 括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介 质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属； 在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片 表面平坦；刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；移除牺牲介 质层，暴露需要互联的金属；清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。 利用本发明，提高了引出的可靠性和稳定性，降低了工艺的复杂度。 |
| 其它备注: | |
科研产出