| 专利名称: | 一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810227127.1 |
| 申请日期: | 2008-11-21 |
| 专利号: | CN101447778 |
| 第一发明人: | 陈 勇 周玉梅 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差 分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器， 包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二 阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点 特性；一反相前馈电容组件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q 值；一同相前馈电容组件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点 特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技 术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。 |
| 其它备注: | |
科研产出