| 专利名称: | 基于双层胶工艺制作X射线曝光掩膜的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178777.7 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101452203 |
| 第一发明人: | 刘兴华 涂德钰 朱效立 谢常青 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作X射线曝光掩膜的方法，该方法包括：在 硅衬底正面涂敷自支撑薄膜；在卡具的保护下，对硅衬底的背面进行 各向同性刻蚀，形成镂空的自支撑薄膜；在自支撑薄膜正面蒸镀金属 薄膜，作为电镀衬底；在金属薄膜上涂敷双层电子束光刻胶；对涂敷 的双层电子束光刻胶进行电子束光刻、显影、反应离子刻蚀，形成双 层光刻胶图形；在双层光刻胶图形上电镀金属，形成X射线曝光掩膜 的阻挡层；剥离双层电子束光刻胶，去除电镀衬底。利用本发明，有 效的避免了衬底和金属薄膜产生的背散射电子对上层胶的曝光，从而 提高了电子束光刻的精度，减小了负性电子束胶留膜率高的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出