| 专利名称: | 一种制作阻变存储器交叉阵列的方法 |
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| 申请号: | 200710178769.2 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101452891 |
| 第一发明人: | 管伟华 龙世兵 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作阻变存储器交叉阵列的方法，该方法经过 两次光刻、两次薄膜淀积、两次剥离工艺，获得阻变存储器交叉阵列， 该方法包括：在基片表面上生长绝缘层薄膜；在绝缘层薄膜表面上涂 敷光刻胶，之后曝光、显影得到下电极图形；在下电极图形上淀积下 电极材料；剥离淀积的下电极材料，得到交叉阵列线下电极；在下电 极上涂敷光刻胶，之后曝光、显影得到电阻转变层和上电极图形；在 电阻转变层和上电极图形上淀积电阻转变层材料和上电极材料；剥离 淀积的电阻转变层材料和上电极材料，得到电阻转变层和交叉阵列线 的上电极。利用本发明，降低了制作成本，提高了存储器阵列的密度。 |
| 其它备注: | |
科研产出