| 专利名称: | 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 |
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| 申请号: | 200710179353.2 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101459080 |
| 第一发明人: | 李诚瞻 魏 珂 郑英奎 刘果果 和致经 刘新宇 刘 键 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对 GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对 准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图 形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻 形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅 保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子 束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料 层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料 表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染， 抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。 |
| 其它备注: | |
科研产出