| 专利名称: | 采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法 |
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| 申请号: | 200710179371.0 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101459085 |
| 第一发明人: | 李维龙 贾 锐 陈 晨 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 王 琴 涂德钰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法， 该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；采用电子束蒸发方式将HfO2 粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上；高温快速 热退火。采用该方法制备的HfO2量子点颗粒的直径大小约为4至8nm， 可用于浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定 可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出