| 专利名称: | 一种制备有机场效应晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710179352.8 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101459222 |
| 第一发明人: | 甄丽娟 刘 明 商立伟 刘 舸 |
| 其它发明人: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备有机场效应晶体管的方法，该方法包括： 在衬底上采用光刻和剥离工艺形成分立的金属栅电极；在衬底和栅电 极上形成栅介质绝缘层；在栅介质绝缘层上旋涂光刻胶，经过曝光显 影得到光刻胶掩模版图形；在栅介质绝缘层和光刻胶掩模版图形上垂 直蒸镀形成有机半导体层；采用两次倾斜蒸镀，分别形成源、漏电极。 本发明在制备源、漏电极时巧妙利用斜蒸，简化了工艺步骤的同时也 避免了对有机层的损伤。 |
| 其它备注: | |
科研产出