| 专利名称: | 用于X射线曝光的光刻掩模结构及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810057937.7 |
| 申请日期: | 2008-02-21 |
| 专利号: | CN101515110 |
| 第一发明人: | 朱效立 谢常青 叶甜春 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于X射线曝光的光刻掩模结构，该结构由低 原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下 而上依次构成。本发明同时公开了一种制备光刻掩模结构的方法。利 用本发明，因为采用了低原子序数金属铝、聚酰亚胺和高原子序数金 属吸收体的多层膜结构，完全可以用于微米、深亚微米和纳米尺度下 的X射线光刻。与基于无机薄膜的掩模相比，具有成本低、工艺流程 简单、不容易破裂等优点；与有机薄膜的掩模相比，还具有机械强度 大、不容易变形、导热性能好等优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出