| 专利名称: | 制备超结VDMOS器件的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810057881.5 |
| 申请日期: | 2008-02-20 |
| 专利号: | CN101515547 |
| 第一发明人: | 蔡小五 海潮和 陆 江 王立新 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备超结VDMOS器件的方法，包括：在衬底 上外延生长体硅，场区氧化形成场区氧化层；刻蚀形成有源区，在有 源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层，等离子刻蚀多晶 硅和氧化层形成栅氧化层；光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区，光刻 P+区，浓硼注入，形成P-体区；淀积氮化硅硬掩模层，氮化硅光刻， 高能硼注入，形成外延层中的P-柱；高温推进，使结深控制在Xjp＝2μm； 光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS 器件源区，通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；PECVD淀积硼磷 硅玻璃，850度半小时回流；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成金 属布线层，合金，进行背面处理。 |
| 其它备注: | |
科研产出