| 专利名称: | npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103253.6 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552284 |
| 第一发明人: | 金 智 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管 (DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基 极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型 InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层 和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧 穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极 和InP集电极所形成的导带尖峰。 |
| 其它备注: | |
科研产出