| 专利名称: | 一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910302491.4 |
| 申请日期: | 2009-05-21 |
| 专利号: | CN101556938 |
| 第一发明人: | 刘 明 王 永 王 琴 杨潇楠 龙世兵 谢常青 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器 的制备方法，所述方法包括在硅衬底上生长遂穿介质层，并在遂穿介质层上表面生长硅纳米 晶；对硅纳米晶进行氮化处理，在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅介质层，控制栅介 质层上淀积多晶硅；刻蚀多层结构到硅衬底，形成制作栅侧墙和源电极、漏电极的区域；制 作栅侧墙、栅极、源极和漏极，形成浮栅存储器。本发明可用于非挥发性存储器的存储单元 ，具有电荷存储容量大，结构简单，可靠性高，与传统CMOS工艺兼容性好，易于批量生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出