| 专利名称: | 一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810104229.4 |
| 申请日期: | 2008-04-16 |
| 专利号: | CN101561629 |
| 第一发明人: | 金 智 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方 法，包括：A.在基片上涂敷介质层；B.在高温下固化；C.旋涂光 刻胶；D.光刻、显影，制作倒梯形剖面的光刻胶；E.用含有氧气的 等离子体进行干法刻蚀，得到正梯形剖面的介质缓坡。本发明利用反 转胶和负性光刻胶等能形成倒梯形剖面的光刻胶，胶的侧面可控性好， 由于介质缓坡能较好控制，可提高金属爬坡的边缘可控性，提高器件 的成品率和增加电路的电流的处理能力。 |
| 其它备注: | |
科研产出