| 专利名称: | 一种掺杂ZrO2阻变存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910086551.3 |
| 申请日期: | 2009-06-09 |
| 专利号: | CN101577308 |
| 第一发明人: | 刘 明 李颖弢 龙世兵 王 琴 刘 琦 张 森 王 艳 左青云 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种掺杂ZrO2阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术 领域。所述存储器包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的 电阻转变存储层，所述下电极由Al制成，所述电阻转变存储层由Cu掺杂ZrO2 制成。本发明的掺杂ZrO2阻变存储器的结构简单，采用金属活性较强的Al 作为下电极，可以吸收电阻转变存储层内ZrO2中的氧离子，在ZrO2中形成大 量的氧空位，当器件第一次由高阻态向低阻态转变时，不再需要一个高的操 作电压来激活器件，从而消除阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所 需要的Forming过程。 |
| 其它备注: | |
科研产出