| 专利名称: | 一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910302938.8 |
| 申请日期: | 2009-06-04 |
| 专利号: | CN101587937 |
| 第一发明人: | 刘 明 李颖弢 龙世兵 王 琴 左青云 王 艳 刘 琦 张 森 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所 述方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成电阻转变存储层；在惰性气体的环 境下并于100℃～1000℃下对所述电阻转变存储层进行退火处理；在所述电阻转变存储层上 形成上电极即可。本发明的制作方法简单、成本低并且与传统CMOS工艺兼容，采用金属掺杂 的二元金属氧化物作为电阻转变存储层，再经过退火处理，不仅可以使二元金属氧化物薄膜 结晶，而且还可以在二元金属氧化物中形成大量的金属缺陷，在器件第一次由高阻态向低阻 态转变时，不再需要一个高的操作电压来激活器件，从而可以消除Forming现象。 |
| 其它备注: | |
科研产出