| 专利名称: | 一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910303914.4 |
| 申请日期: | 2009-07-01 |
| 专利号: | CN101598645 |
| 第一发明人: | 赵 珉 陈宝钦 刘 明 牛洁斌 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术 领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂 覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束 直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的 硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻 蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极 限分辨率的实现。 |
| 其它备注: | |
科研产出