| 专利名称: | 一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910304802.0 |
| 申请日期: | 2009-07-24 |
| 专利号: | CN101619457 |
| 第一发明人: | 李永亮 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及使用该腐蚀剂的腐蚀方法，属于集成 电路制造技术领域。所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。所述使用该 腐蚀剂的腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO2界面层或者Si/SiON 界面层上后，将其浸泡在所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。采用本发明腐蚀剂对HfSiON高K栅 介质材料进行腐蚀时，可降低氢氟酸水解，从而提高HfSiON高K栅介质材料的腐蚀速度并降 低对场氧区SiO2的腐蚀速度，进而提高HfSiON对场氧区SiO2的选择比。 |
| 其它备注: | |
科研产出