| 专利名称: | 金属环形栅有机晶体管结构及其制备方法 |
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| 申请号: | 200810118730.6 |
| 申请日期: | 2008-08-20 |
| 专利号: | CN101656295 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘明 涂德钰 甄丽娟 刘舸 刘兴华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种金属环形栅有机晶体管结构，该结构包括：绝缘衬 底、在该绝缘衬底表面制备的环形栅电极、在该绝缘衬底表面及环形栅电 极上制备的栅介质层、在栅介质层上制备的有机半导体层，以及在该有机 半导体层圆形表面制备的圆形源电极和环形漏电极。本发明同时公开了一 种制备金属环形栅有机晶体管结构的方法，该方法包括：在绝缘衬底上制 备环形栅电极；在绝缘衬底表面及该环形栅电极上制备栅介质层；在该栅 介质层上制备有机半导体层；在该有机半导体上制备圆形源电极和环形漏 电极。利用本发明，通过改变电极的尺寸比例就可以很好地控制器件的工 作电流密度和阈值电压，通过嵌入式的电极结构提高了器件的集成度，能 够和现有的硅微加工技术兼容。 |
| 其它备注: | |
科研产出