| 专利名称: | 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810118973.X |
| 申请日期: | 2008-08-27 |
| 专利号: | CN101662263 |
| 第一发明人: | 陈高鹏 陈晓娟 刘新宇 李滨 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其 特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹 配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该 微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的 栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配 场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常 见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插 入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率 放大器。 |
| 其它备注: | |
科研产出