| 专利名称: | 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810224908.5 |
| 申请日期: | 2008-10-24 |
| 专利号: | CN101728257A |
| 第一发明人: | 徐秋霞 许高博 柴淑敏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。 |
| 其它备注: | |
科研产出