| 专利名称: | 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810226687.5 |
| 申请日期: | 2008-11-19 |
| 专利号: | CN101740369A |
| 第一发明人: | 陈世杰 王文武 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。 |
| 其它备注: | |
科研产出