| 专利名称: | 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810227483.3 |
| 申请日期: | 2008-11-26 |
| 专利号: | CN101740570A |
| 第一发明人: | 王文武 陈世杰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法，有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构，通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出