| 专利名称: | 一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法 |
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| 申请号: | 200810240080.2 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752504A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。利用本发明，在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容，且工艺过程中回避了制作过孔的过程，简化了工艺流程从而保证了器件的性能。 |
| 其它备注: | |
科研产出