| 专利名称: | 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077522.0 |
| 申请日期: | 2009-01-21 |
| 专利号: | CN101783298A |
| 第一发明人: | 王文武 陈世杰 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种抑制高介电常数(k)栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法，该方法包括：在硅衬底上生长SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积金属栅电极；以及在金属栅电极上沉积一层多晶硅帽层。利用本发明，可以达到在高温条件下阻止退火环境中的氧分子扩散到SiO2/Si界面，进而与Si衬底反应生成SiO2层的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出