| 专利名称: | 带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077518.4 |
| 申请日期: | 2009-01-21 |
| 专利号: | CN101783388A |
| 第一发明人: | 刘明 刘琦 龙世兵 管伟华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，该非易失电阻转变型存储器由上Pt电极、下Pt电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和PtOx界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Pt电极与下Pt电极之间，PtOx界面层位于二元过渡族金属氧化物薄膜与下Pt电极之间。本发明提供的带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
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