| 专利名称: | 一种钽铝氮金属栅的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077626.1 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101800173A |
| 第一发明人: | 许高博 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种钽铝氮金属栅的制备方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数栅介质；在高介电常数栅介质上淀积氮化铝/氮化钽叠层金属栅；对淀积了氮化铝/氮化钽叠层金属栅的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行金属栅淀积后退火，形成钽铝氮金属栅；背面溅铝并进行合金处理。利用本发明制备的钽铝氮金属栅，由于铝的引入有助于金属栅平带电压向正向漂移，即有助于P型金属氧化物半导体场效应晶体管金属栅功函数的调节。 |
| 其它备注: | |
科研产出