| 专利名称: | 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077725.X |
| 申请日期: | 2009-02-13 |
| 专利号: | CN101807521A |
| 第一发明人: | 刘明 刘璟 王琴 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上，淀积生长俘获层介质；在溅射过程中将其他靶材掩蔽，单独溅射某一种靶材，在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳米晶薄层；形成内嵌纳米晶薄层后，恢复原工艺条件继续生长俘获层材料；生长完毕，热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件走向实际应用打下基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出