| 专利名称: | 一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077723.0 |
| 申请日期: | 2009-02-13 |
| 专利号: | CN101807526A |
| 第一发明人: | 尚海平 徐秋霞 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法，该方法包括：步骤1：采用两步镍-自对准硅化物工艺形成一硅化镍膜；步骤2：对该硅化镍膜进行低能高剂量杂质注入；步骤3：对该硅化镍膜进行快速热退火。本发明提供的肖特基势垒高度的调节方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行和成本低等优点，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 |
| 其它备注: | |
科研产出