| 专利名称: | 一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910078554.2 |
| 申请日期: | 2009-02-25 |
| 专利号: | CN101814505A |
| 第一发明人: | 刘明 王永 王琴 杨潇楠 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法。多层浮栅非易失性存储器结构由下至上依次包括硅衬底、二氧化硅层、硅纳米晶/高温氧化物多层结构、多晶硅层、二氧化硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。利用本发明，解决了传统Flash技术节点可缩小化问题存在的不足，利用多层浮栅储存电荷增大了存储窗口，使浮栅存储电荷的可靠性增加，提高了浮栅器件的保持特性。 |
| 其它备注: | |
科研产出