| 专利名称: | 一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910078558.0 |
| 申请日期: | 2009-02-25 |
| 专利号: | CN101814506A |
| 第一发明人: | 刘明 王永 王琴 杨潇楠 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法。复合存储介质浮栅存储器结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。利用本发明，解决了传统Flash技术节点可缩小化问题存在的不足，采用两种存储介质储存电荷，增大了存储窗口，使浮栅存储电荷的可靠性增加，提高了浮栅器件的保持特性。 |
| 其它备注: | |
科研产出