| 专利名称: | 用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410035089.1 |
| 申请日期: | 2004-04-23 |
| 专利号: | CN1691279 |
| 第一发明人: | 李俊峰 杨 荣 李力南 扈焕章 蒋浩杰 白国斌 钱 鹤 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在 于，包括如下步骤：步骤1：淀积二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层复合介 质；步骤2：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域； 步骤3：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干法刻蚀氮化硅及底层二氧化硅；步 骤4：去胶清洗。 |
| 其它备注: | |
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