| 专利名称: | 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410035088.7 |
| 申请日期: | 2004-04-23 |
| 专利号: | CN1691295 |
| 第一发明人: | 杨 荣 李俊峰 海潮和 徐秋霞 韩郑生 柴淑敏 赵玉印 周锁京 钱 鹤 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如 下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正 硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二 氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；源漏自对准注入并去胶； 快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；分别以正硅酸乙酯热分解法 淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；依次 回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧 墙；溅射一薄层钛；快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；选择性 湿法腐蚀去除未反应的钛；快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低 阻态的钛硅化物。 |
| 其它备注: | |
科研产出