| 专利名称: | 厚铝的高精度干法刻蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410095295.1 |
| 申请日期: | 2004-11-19 |
| 专利号: | CN1778993 |
| 第一发明人: | 杨 荣 李俊峰 柴淑敏 赵玉印 蒋浩杰 钱 鹤 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀 积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出 待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅层；步骤4： 反应离子刻蚀金属铝层；步骤5：去光刻胶层。 |
| 其它备注: | |
科研产出