| 专利名称: | 纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410098992.2 |
| 申请日期: | 2004-12-23 |
| 专利号: | CN1797200 |
| 第一发明人: | 谢常青 范东升 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，属于微电子技 术中的纳米、深亚微米加工领域。一种纳米压印与光学光刻混合制作T 型栅的方法，其工艺步骤如下：1.在半导体基片上涂上底层压印胶；2. 用纳米压印方法压印出底层压印胶图形，获得底层栅槽图形；3.涂上顶 层光学光刻胶；4.光学光刻方法曝光出顶层光学光刻胶图形；5.显影 顶层光学光刻胶获得宽栅槽图形；6.氧等离子体灰化底层残余压印胶； 7.蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。本发明方法可以获得深亚微米、 纳米T型栅结构，适合用于大规模生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出