| 专利名称: | 一种采用纯数字工艺制作的电容 |
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| 申请号: | 200410098991.8 |
| 申请日期: | 2004-12-23 |
| 专利号: | CN1797710 |
| 第一发明人: | 郭慧民 陈 杰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明一种采用纯数字工艺制作的电容，涉及集成电路技术领域，属 于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种纯数字 工艺下制作的具有较大单位面积电容的电容。该电容，利用两条相邻的 同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的 层间介质作为电容的绝缘介质。将多条多晶硅条或金属条形成插指结构 连接，等效于多个电容并联。同时，将利用各层的金属条构成的电容通 过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单 位面积的电容。考虑到设计工艺制作中设计规则的限制，电容在实现时 不使用顶层金属。这样可以在纯数字工艺下得到较大的单位面积电容。 |
| 其它备注: | |
科研产出