| 专利名称: | 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410101873.8 |
| 申请日期: | 2004-12-30 |
| 专利号: | CN1801458 |
| 第一发明人: | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作 工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工艺步骤如下：1.在自支 撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束 曝光、显影；3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩 X射线光刻胶；5.从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续 将片子放在电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高 宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻，一 次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属 结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出