| 专利名称: | 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410101871.9 |
| 申请日期: | 2004-12-30 |
| 专利号: | CN1801465 |
| 第一发明人: | 郑英奎 魏 珂 和致经 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件工艺技术领域，特别是一种应用于基于氮化 镓材料的包封退火方法。包括：步骤1：光学光刻形成电子束标记和源 漏金属区，沉积欧姆接触金属；步骤2：于金属上沉积SiN或者SiO介 质膜，厚度为3000；步骤3：退火，温度为700-730℃；步骤4：刻蚀 介质去掉SiN或者SiO介质膜；步骤5：注入隔离；步骤6：电子束光刻 栅版；步骤7：蒸发栅金属；步骤8：布线。 |
| 其它备注: | |
科研产出