| 专利名称: | 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510008008.3 |
| 申请日期: | 2005-02-07 |
| 专利号: | CN1818788 |
| 第一发明人: | 刘 明 王云翔 陈宝钦 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现 曝光50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用 合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进 行适当的修正；消除场拼接对图形质量的影响；合适的邻近效应参数； 优化的显影条件等特点，最终制备出分辨率非常高的50nm图形。本发 明方法，大大提高了SAL601化学放大抗蚀剂的分辨率，使我们在无法 购买到更高分辨率抗蚀剂的情况下也能曝光出分辨率非常高的图形。本 发明方法是一种经济实用的制造50nm图形的新方法，为进一步研制亚 50nm器件打下了良好基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出